包裹性

可在制程中保护晶圆/衬底材料表面的图形，并具备包裹表面凹凸功能的胶带

• 背面研磨半导体制程中减薄的一个步骤。胶带需要良好的粘附力和抗缓冲性能，以防止制程过程中晶圆破裂和表面回路污染。
• 切割半导体制程中，通过使用刀片切割的方式，从晶圆上把芯片分离的过程。在切割加工过程中，胶带需要固定芯片，并且需要具备良好延展性。
• 隐形切割通过激光照射进行切割。切割宽度(芯片之间的距离)要窄得多，因此与刀片切割相比，对于胶带精确固定性能要求更加严格。如从背面进行激光照射的情况下，胶带需要透光性能。
• DBG™/SDBG/GAL晶圆研磨前切割/晶圆前隐形切割/激光切割后研磨。一种用于薄片的研磨和切割方法。作为第一步，通过机械刀片进行半切割或通过激光照射形成改性层，然后在晶圆背面研磨期间进行分离。胶带要求良好的表面凹凸包裹性能和芯片固定性能。
• 高粘性通过独特的设计使得在晶圆上兼备高粘附力和高胶粘层厚度的胶带。
• 高厚度均匀性厚度均匀性。半导体晶圆厚度的指标。要求胶带具有厚度均匀性，对于晶圆的不平坦表面具有良好的凹凸包裹性，以实现良好的TTV。
• 倒装芯片倒装芯片封装的通称，也称为FC-BGA。与引线键合封装相比，倒装芯片能够实现更快的处理速度并节省封装的面积。倒装芯片主要用于MPU、GPU、BB(基带处理器)和AP等处理器。
• 晶圆级封装晶圆级芯片封装。芯片可以直接塑封在PCB上的封装形式。球的尺寸通常比较大。晶圆级芯片封装常用于PMIC(电源管理集成电路)，RFIC，音频编解码器，特别是通信行业。
• TSV硅穿孔。一种封装中多芯片堆叠的连接方法。TSV主要用于高阶产品，如CMOS图像传感器和高带宽存储器。由于TSV晶片在两侧都有电极，因此工艺中需要用到能覆盖球高和承载产品的胶带。
• MEMS微机电系统的缩写。是一种微机电一体化和微系统的产品或技术。MEMS不是半导体器件，而是使用半导体制造技术和工艺的电子产品。